HSMC CORP.

一、本公司開發之TMBS.(Trench-mos Barrier Schottky)優勢敘述如下：

1.以先進工藝製造，本產品接面溫度可達攝氏175度
2.抗靜電能力特強，達30KV，使用於AC/DC電源中最後輸出端元件不須另加保護
3.低電流啟動時，VF較傳統Schottky為優，亦較Diodes SBR為優

二、對於充電器中使用TMBS，因攜帶式電子產品(手機、筆電、平板、數位相機)均須充電，使充電器成為最大量之電子產品，有以下共同趨勢：

1.功率加大，由3W提升至5W、10W或更大
2.本身體積越小越好
3.能源轉換效率要求提升
4.空載功耗越低越好
以上要求對元件的選擇成為重要決定因素，我們開發之TMBS 針對5W(5V/1A)、10W(5V/2A)之充電器均可搭配BCD/BYD/ON BRIGHT/IWATT PWM IC，達六級能效要求，性價比最佳
(請點選參考附件實際上機測試數據)

三、蕭特基二極管為一表面元件，漏流偏大為其基本物理特性，尤其當有負載時，溫度每上升10度，漏流皆提高1.6~1.8倍；因此當工作環境溫度高時，漏流與溫度交替上升，如不能穩定於某一階段，終至熱溢散(Thermal Run Out)或燒毀，因此漏流控制極為重要

如本公司15A/50V產品與GS比較時：

IR@50V/25度：GS 140uA(Typ.) 1800uA(Max.) / HSMC 120uA(Typ.) 150uA(Max.)
VF@15A/25度：GS 0.49V(Typ.) 0.56V(Max.) / HSMC 0.45V(Typ.) 0.48V(Max.)
以上可見二者之優劣

另本公司有一款10L45，特別強調控制IR，在常溫45V條件下IR≤10uA，特別適用於高溫工作環境；如用於10W Charger能效與15T50/15S50兩款相當，但靜態功耗可大幅降低是此產品之優點